无锡吴越半导体氮化镓GaN晶体出片世界首例厚度突破1厘米
发布时间：2021-12-16 14:03:06 所属栏目：动态 来源：互联网
导读：吴越半导体 GaN 晶体出片仪式在无锡高新区举行。 据无锡高新区消息，仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署 A 轮融资战略框架协议。 无锡吴越半导体有限公司成立于 2019 年，是无锡先导集成电路
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吴越半导体 GaN 晶体出片仪式在无锡高新区举行。 据无锡高新区消息，仪式上，吴越半导体展出了全球范围内首次厚度突破 1 厘米的氮化镓晶体，并与君联资本、新投集团签署 A 轮融资战略框架协议。 无锡吴越半导体有限公司成立于 2019 年，是无锡先导集成电路装备材料产业园首个落户的项目，公司专注于氮化镓自支撑衬底的开发、生产和销售。 2020 年 2 月，吴越半导体、先导集团与高新区管委会签订合作协议，在无锡高新区实施 2-6 英寸氮化镓自支撑单晶衬底产业化项目，项目建成投产后，可填补无锡市在第三代化合物半导体氮化镓原材料领域的空白。 （编辑：温州站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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