韩国推出“GaN半导体集成电路”国家级课题组

韩国成立“GaN半导体集成电路”国家级课题组

X-band “氮化镓”半导体超高频率集成电路(MMIC)是安装在韩国战斗机(KF-X)上的雷达核心配件。

此次课题由RFHIC(艾尔福)牵头负责执行。SK Siltron将参与碳化硅基板、氮化镓树脂(EPI)的制作,LIG nex1负责系统的验证。韩国电子通信研究院(ETRI)的半导体工厂将被用来进行GaN MMIC的制作。

除X-band外,课题还将扩大到Ku-band、Ka-band等,该技术也适用于扩展到28千兆(GHz)的5G通信设备及卫星通信。

早前的4月1日,韩国政府曾召开会议,发表了“下一代功率半导体技术开发及产能扩充方案”。其宣布将正式培育下一代功率半导体技术,到2025年开发5种以上的商业化产品,并在国内建设6～8英寸代工厂。

目前为止,从SiC到系统构筑氮化镓供应链的国家只有美国和中国,其中成功实现商品化的国家只有美国。

全球第三代半导体名单

基于摩尔定律即将走到极限,各家半导体业者正寻求第三代半导体开发。所谓第三代半导体系指材料以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽禁带半导体为主,有别于第一代的硅(Si)、第二代的砷化镓(GaAs)之半导体材料。目前,氮化镓(GaN)半导体海外主要参与者包括:Cree(CREE．US)、Efficient Power Conversion Corporation、富士通有限公司、GaN Systems、英飞凌科技股份公司、NexGen电力系统(NXE．US)、恩智浦半导体、Qorvo, Inc．(QRVO．US)、德州仪器公司(TXN．US)、东芝公司等。

从国家和地区来看,日本政府集结上中下游产业合作发展GaN,5年内计划拨款90兆日圆资助研发氮化镓在半导体方面应用的大学和企业。虽然,碳化硅发展比氮化镓更成熟,但日本是全球第一个研发氮化镓的国家。

欧盟早在2019年即批准投资化合物半导体计划,由威尔士牵头。该计划将为研究活动提供17．5亿欧元的资金,同时将带来高达60亿欧元的民间风险投资。

中国政府制订的“十四五规划”中,在集成电路领域,特别提出了碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体要取得发展。

（编辑：温州站长网）

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