国产闪存跳级式发展 明年追上232层 与三星技术差异只有1年
发布时间：2022-10-13 04:00:03 所属栏目：产品 来源：转载
导读： 昨晚美光公司宣布量产了232层闪存，这是全球首个突破200层的闪存，是目前速度最快、密度最高的TLC闪存，接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。
在闪存
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昨晚美光公司宣布量产了232层闪存，这是全球首个突破200层的闪存，是目前速度最快、密度最高的TLC闪存，接下来三星、恺侠、西数、SK海力士的200+层闪存也会陆续量产。 在闪存行业，国内的厂商长江存储也在奋起追赶，而且他们采取的策略不同，是跳级式发展，中间会越过一些过渡性的闪存，量产64层闪存之后就进入了128层，跳过了中间的96层闪存。 目前长江存储生产的闪存主力是128层，今年下半年将进一步提升到192层，200+层以上的闪存也在开发中，最快2023年底就能看到232层闪存，慢一点的话也会在2024年搞定。 当然，技术差距缩短是一方面，国产闪存目前主要的问题还是产能不足，全球份额也就5%左右，三星的份额超过35%，恺侠、收购Intel闪存业务的SK海力士两家大约也在20%上下，未来几年中提升产能、抢占市场份额依然是国产闪存努力的方向。 （编辑：温州站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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