西数发布iNAND EU511闪存芯片：UFS 3.0、写入达750MB/s

三星S10似乎并未配备LPDDR5内存和UFS 3.0闪存，不过折叠屏Galaxy Fold则内建了512GB UFS 3.0闪存。

事实上，LPDDR5由于刚刚公布正式规范，按计划2020年才会登陆消费级产品。而UFS 3.0闪存则提前不少，但可能因为成本和支持的SoC（仅骁龙855、三星Exynos 9820等）较少的缘故，大规模的普及还需要酝酿。

MWC 2019期间，Western Digital（西部数据）发布了iNAND MC EU511闪存芯片，采用96层3D NAND，符合UFS 3.0规范。

性能方面，基于SmartSLC Generation 6，顺序写入速度高达750MB/s。

容量方面，单芯片64GB起步，最大512GB。

此前，iNAND产品归属与SanDisk（闪迪），可以看出被西数收购后，后者要进一步强化统一化的品牌管理，机械硬盘领域的HGST（昱科）也是一样道理。

当然，UFS 3.0设计的最高数据传输速率可达2.9GB/s。

（编辑：温州站长网）

【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容!